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        14、一種采用勢壘高度漸變量子壘的LED結構及其制備方法

        2016-12-4
        發明名稱:一種采用勢壘高度漸變量子壘的LED結構及其制備方法,專利號:ZL201110151410.2。
         >>  13、一種采用AlGaInN四元材料作為量子阱和量子壘的LED結構及其制備方法
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